casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC010N04LSTATMA1
codice articolo del costruttore | BSC010N04LSTATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC010N04LSTATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC010N04LSTATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9520pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC010N04LSTATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC010N04LSTATMA1-FT |
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IRFI1310N
Infineon Technologies
IRFI520N
Infineon Technologies
IRFI530N
Infineon Technologies
IRFIZ24E
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel