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codice articolo del costruttore | BSC010N04LSIATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC010N04LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC010N04LSIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 20V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC010N04LSIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC010N04LSIATMA1-FT |
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IRFI1310N
Infineon Technologies
IRFI520N
Infineon Technologies
IRFI530N
Infineon Technologies
IRFIZ24E
Infineon Technologies
IRFIZ34E
Infineon Technologies
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel