casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25S640FJ-WE2
codice articolo del costruttore | BR25S640FJ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25S640FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S640FJ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP-J |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S640FJ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25S640FJ-WE2-FT |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel