casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
codice articolo del costruttore | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 95ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR-FT |
S34MS01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G104BHB010
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel