casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
codice articolo del costruttore | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 95ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR-FT |
S34MS01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G104BHB010
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel