casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
codice articolo del costruttore | MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 95ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR-FT |
S34MS01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHA013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel