casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25L320FJ-WE2
codice articolo del costruttore | BR25L320FJ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25L320FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L320FJ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 32Kb (4K x 8) |
Frequenza di clock | 5MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP-J |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L320FJ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25L320FJ-WE2-FT |
MT28EW128ABA1HJS-0SIT
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel