casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFQ 19S E6327
codice articolo del costruttore | BFQ 19S E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BFQ 19S E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFQ 19S E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 5.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz |
Guadagno | 7dB ~ 11.5dB |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 210mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFQ 19S E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFQ 19S E6327-FT |
BFG424F,115
NXP USA Inc.
BFG520W,115
NXP USA Inc.
BFG520W/X,115
NXP USA Inc.
BFG540W,115
NXP USA Inc.
BLT81,115
NXP USA Inc.
BFU590GX
NXP USA Inc.
BFG35,115
NXP USA Inc.
BFU580GX
NXP USA Inc.
BFG135,115
NXP USA Inc.
BFG31,115
NXP USA Inc.