casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG35,115
codice articolo del costruttore | BFG35,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFG35,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG35,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Frequenza - Transizione | 4GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG35,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG35,115-FT |
BFG505/X,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,235
NXP USA Inc.
BFG520,215
NXP USA Inc.
BFG520,235
NXP USA Inc.
BFG520/X,215
NXP USA Inc.
BFG520/X,235
NXP USA Inc.
BFG540,215
NXP USA Inc.
BFG540/X,215
NXP USA Inc.
BFG590,215
NXP USA Inc.
BFG590/X,215
NXP USA Inc.
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176C
Xilinx Inc.
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA7H2F35I3
Intel
XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel
EP1SGX25DF1020C5
Intel