casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFU590GX
codice articolo del costruttore | BFU590GX |
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Numero di parte futuro | FT-BFU590GX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFU590GX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 8dB |
Potenza - Max | 2W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 80mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU590GX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFU590GX-FT |
BFG505,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,235
NXP USA Inc.
BFG520,215
NXP USA Inc.
BFG520,235
NXP USA Inc.
BFG520/X,215
NXP USA Inc.
BFG520/X,235
NXP USA Inc.
BFG540,215
NXP USA Inc.
BFG540/X,215
NXP USA Inc.
BFG590,215
NXP USA Inc.
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
Intel
EP1C20F324I7N
Intel