casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BFN 19 E6327
codice articolo del costruttore | BFN 19 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BFN 19 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFN 19 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFN 19 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFN 19 E6327-FT |
JANTX2N5582
Microsemi Corporation
JANTXV2N2605
Microsemi Corporation
JANTXV2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2946A
Microsemi Corporation
JAN2N2945A
Microsemi Corporation
JAN2N2946A
Microsemi Corporation
JAN2N3057A
Microsemi Corporation
JAN2N3486A
Microsemi Corporation
JAN2N3737
Microsemi Corporation
JANTX2N3057A
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel