casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BFN18E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BFN18E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFN18E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFN18E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 70MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFN18E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFN18E6327HTSA1-FT |
JANTXV2N2605
Microsemi Corporation
JANTXV2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2946A
Microsemi Corporation
JAN2N2945A
Microsemi Corporation
JAN2N2946A
Microsemi Corporation
JAN2N3057A
Microsemi Corporation
JAN2N3486A
Microsemi Corporation
JAN2N3737
Microsemi Corporation
JANTX2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3737
Microsemi Corporation
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation