casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG10/X,215
codice articolo del costruttore | BFG10/X,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BFG10/X,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG10/X,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
Frequenza - Transizione | 1.9GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 7dB |
Potenza - Max | 400mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG10/X,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG10/X,215-FT |
MAX2601ESA-T
Maxim Integrated
MAX2602ESA-T
Maxim Integrated
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR193L3E6327XTMA1
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BFR360L3E6765XTMA1
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BFR380L3E6327XTMA1
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BFR460L3E6327XTMA1
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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BFR 360L3 E6327
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BFR 705L3RH E6327
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A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4
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A42MX24-PQG208A
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LFE5UM-45F-6BG381C
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10M08DCF256I7G
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EP2AGX125DF25C5NES
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10AX032E4F27E3LG
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LFEC6E-4F256I
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LFE3-35EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N1F45I1SG
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