casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFR840L3RHESDE6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
Frequenza - Transizione | 75GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.5dB @ 450MHz |
Guadagno | 27dB |
Potenza - Max | 75mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFR840L3RHESDE6327XTSA1-FT |
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
BFS520,115
NXP USA Inc.
BFS520,135
NXP USA Inc.
BFS540,115
NXP USA Inc.
BFT92W,115
NXP USA Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8L
Intel
EP4SGX360FH29C2XN
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5M13I7N
Intel