casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFR193L3E6327XTMA1
codice articolo del costruttore | BFR193L3E6327XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFR193L3E6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR193L3E6327XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 12.5dB ~ 19dB |
Potenza - Max | 580mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR193L3E6327XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFR193L3E6327XTMA1-FT |
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
XC3S4000-4FGG900I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-PQG208M
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40I3LN
Intel
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EP3CLS70F780C7
Intel
EPF10K100EQC240-1
Intel