codice articolo del costruttore | BD539-S |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BD539-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD539-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 300µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD539-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD539-S-FT |
BC807-25W/MIX
Nexperia USA Inc.
BC807-40W/MIF
Nexperia USA Inc.
BC807-40W/MIX
Nexperia USA Inc.
BC817-25W/MIX
Nexperia USA Inc.
BC817-40W/MIF
Nexperia USA Inc.
BC817-40W/MIX
Nexperia USA Inc.
BC846B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC846B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC846BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC846BW/DG/B2,135
Nexperia USA Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel