casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC817-40W/MIF
codice articolo del costruttore | BC817-40W/MIF |
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Numero di parte futuro | FT-BC817-40W/MIF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC817-40W/MIF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC817-40W/MIF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC817-40W/MIF-FT |
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1611(0)-T2-A
Renesas Electronics America
2SA1708S-YMH-AN
ON Semiconductor
2SA1709S-EPN-AN
ON Semiconductor
2SA1827S-AY
ON Semiconductor
2SA1836-T1-A
Renesas Electronics America
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel