casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC807-40W/MIF
codice articolo del costruttore | BC807-40W/MIF |
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Numero di parte futuro | FT-BC807-40W/MIF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC807-40W/MIF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC807-40W/MIF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC807-40W/MIF-FT |
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1611(0)-T2-A
Renesas Electronics America
2SA1708S-YMH-AN
ON Semiconductor
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel