casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCY79-VII
codice articolo del costruttore | BCY79-VII |
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Numero di parte futuro | FT-BCY79-VII |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCY79-VII Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 2.5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY79-VII Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCY79-VII-FT |
JANTXV2N5237S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5238S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415
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JANTXV2N5415S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5416
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JANTXV2N5665
Microsemi Corporation
JANTXV2N5666S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5667
Microsemi Corporation
JANTXV2N5681
Microsemi Corporation
JANTXV2N6051
Microsemi Corporation
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
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AGL600V2-FGG256
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AT40K20LV-3EQC
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EP4CGX75CF23C6
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EP2SGX60EF1152C3N
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A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel