casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCY59-VII
codice articolo del costruttore | BCY59-VII |
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Numero di parte futuro | FT-BCY59-VII |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCY59-VII Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY59-VII Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCY59-VII-FT |
JANTXV2N5152
Microsemi Corporation
JANTXV2N5152L
Microsemi Corporation
JANTXV2N5237S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5238S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5416
Microsemi Corporation
JANTXV2N5665
Microsemi Corporation
JANTXV2N5666S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5667
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel