casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCY59-VII
codice articolo del costruttore | BCY59-VII |
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Numero di parte futuro | FT-BCY59-VII |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCY59-VII Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY59-VII Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCY59-VII-FT |
JANTXV2N5152
Microsemi Corporation
JANTXV2N5152L
Microsemi Corporation
JANTXV2N5237S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5238S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415
Microsemi Corporation
JANTXV2N5415S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5416
Microsemi Corporation
JANTXV2N5665
Microsemi Corporation
JANTXV2N5666S
Microsemi Corporation
JANTXV2N5667
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4N
Intel
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C9L
Intel
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel