casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCX41E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCX41E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCX41E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCX41E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 125V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCX41E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCX41E6327HTSA1-FT |
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2257(CANO,Q,M)
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