casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2257(Q,M)
codice articolo del costruttore | 2SD2257(Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2257(Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2257(Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2257(Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2257(Q,M)-FT |
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
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