casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD23750P
codice articolo del costruttore | 2SD23750P |
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Numero di parte futuro | FT-2SD23750P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD23750P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 800 @ 500mA, 4V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220D-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD23750P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD23750P-FT |
2SA2210
ON Semiconductor
2SA2210-EPN-1EX
ON Semiconductor
2SA2222
ON Semiconductor
2SB0940AP
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2SB09420P
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2SB0947AP
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EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
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EP2S30F484I4
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5SGSMD5K3F40C3
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