casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMB4,115
codice articolo del costruttore | PEMB4,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMB4,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMB4,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB4,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMB4,115-FT |
NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5214DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5235DW1T1G
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MUN5116DW1T1G
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MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5312DW1T2G
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XC6SLX16-3FT256I
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XCKU035-2FBVA676E
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M1A3P1000-2FGG484I
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AGLN030V2-ZQNG48I
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5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
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EP3SE80F1152I4
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LFE3-95E-8FN484C
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EP2SGX60DF780C5N
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