casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BCM847BV,115
codice articolo del costruttore | BCM847BV,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BCM847BV,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCM847BV,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCM847BV,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCM847BV,115-FT |
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
MBT3904DW1T3G
ON Semiconductor
MBT3906DW1T2G
ON Semiconductor
UMZ1NT1G
ON Semiconductor
SBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
SBC857CDW1T1G
ON Semiconductor
NSVBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation