casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC856BW-G
codice articolo del costruttore | BC856BW-G |
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Numero di parte futuro | FT-BC856BW-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856BW-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2.2mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BW-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856BW-G-FT |
DXTP19020DP5-13
Diodes Incorporated
ZXTN04120HP5TC
Diodes Incorporated
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
Intel
5AGXFA7H4F35I3N
Intel