casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DXT2011P5Q-13
codice articolo del costruttore | DXT2011P5Q-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DXT2011P5Q-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DXT2011P5Q-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 3.2W |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerDI™ 5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT2011P5Q-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DXT2011P5Q-13-FT |
MMST4403-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT619TA
Diodes Incorporated
2DD2652-7
Diodes Incorporated
BC807-16W-7
Diodes Incorporated
DSS4140U-7
Diodes Incorporated
DSS5160U-7
Diodes Incorporated
MMST2907A-7-F
Diodes Incorporated
MMST6427-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA14-7-F
Diodes Incorporated
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel