casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTN620MATA
codice articolo del costruttore | ZXTN620MATA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTN620MATA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTN620MATA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 325mV @ 300mA, 3.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 200mA, 2V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020B-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTN620MATA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTN620MATA-FT |
MMST2907A-7-F
Diodes Incorporated
MMST6427-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA14-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT717TA
Diodes Incorporated
ZUMT718TA
Diodes Incorporated
ZUMT720TA
Diodes Incorporated
DSS4160U-7
Diodes Incorporated
DSS5140U-7
Diodes Incorporated
2DB1689-7
Diodes Incorporated
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel