casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC847BV,115
codice articolo del costruttore | BC847BV,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BC847BV,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC847BV,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847BV,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847BV,115-FT |
EMZ1DXV6T5G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T5
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
MBT3904DW1T3G
ON Semiconductor
MBT3906DW1T2G
ON Semiconductor
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel