casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC846BPN/DG/B3X
codice articolo del costruttore | BC846BPN/DG/B3X |
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Numero di parte futuro | FT-BC846BPN/DG/B3X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC846BPN/DG/B3X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC846BPN/DG/B3X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC846BPN/DG/B3X-FT |
JANTXV2N2919
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919U
Microsemi Corporation
JANTXV2N2920L
Microsemi Corporation
JANTXV2N6987
Microsemi Corporation
JANTXV2N6988
Microsemi Corporation
BC856ASQ-7-F
Diodes Incorporated
DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated
DP0150BDJ-7
Diodes Incorporated
ZXTD617MCTA
Diodes Incorporated
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation