casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JANTXV2N2919
codice articolo del costruttore | JANTXV2N2919 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N2919 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/355 |
JANTXV2N2919 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N2919 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N2919-FT |
BCM857BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCM857BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC856BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC856BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
LM394CH/NOPB
Texas Instruments
SG2803J-883B
Microsemi Corporation
SG2803J-DESC
Microsemi Corporation
SG2823J
Microsemi Corporation
SG2823J-883B
Microsemi Corporation
SG2823J-DESC
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel