casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC856ASQ-7-F
codice articolo del costruttore | BC856ASQ-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC856ASQ-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC856ASQ-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856ASQ-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856ASQ-7-F-FT |
SG2803J-DESC
Microsemi Corporation
SG2823J
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SG2823J-883B
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SG2823J-DESC
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SG2013J-883B
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SG2003J
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SG2003J-883B
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SG2003J-JAN
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SG2023J-883B
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SG2023J-DESC
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LFE2-12SE-5QN208I
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A54SX72A-CQ208M
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LFE2-70E-6FN900C
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XA7A75T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX24-3PLG84
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LFE2M35E-5F672C
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LFE2M50E-6F672C
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LCMXO3L-6900C-5BG256I
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10AX066K4F40E3SG
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EPF10K50EQC208-1
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