casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC817DPN/DG/B2,115
codice articolo del costruttore | BC817DPN/DG/B2,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BC817DPN/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC817DPN/DG/B2,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz, 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC817DPN/DG/B2,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC817DPN/DG/B2,115-FT |
JANTXV2N2060L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919L
Microsemi Corporation
JANTXV2N2919U
Microsemi Corporation
JANTXV2N2920L
Microsemi Corporation
JANTXV2N6987
Microsemi Corporation
JANTXV2N6988
Microsemi Corporation
BC856ASQ-7-F
Diodes Incorporated
DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated
DP0150BDJ-7
Diodes Incorporated
A54SX32A-FG484
Microsemi Corporation
M7AFS600-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C9
Intel
EP20K600EFC672-1N
Intel
10M08DAF484I7G
Intel
10AX032E2F27I2SG
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation