codice articolo del costruttore | BC108B |
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Numero di parte futuro | FT-BC108B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC108B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC108B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC108B-FT |
JANTXV2N3902
Microsemi Corporation
JANTXV2N3998
Microsemi Corporation
JANTXV2N3999
Microsemi Corporation
JANTXV2N4234
Microsemi Corporation
JANTXV2N4236
Microsemi Corporation
JANTXV2N4237
Microsemi Corporation
JANTXV2N4238
Microsemi Corporation
JANTXV2N4239
Microsemi Corporation
JANTXV2N5151
Microsemi Corporation
JANTXV2N5151L
Microsemi Corporation
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8N
Intel
EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel