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ON Semiconductor FCH190N65F-F155

Numero parte MFG
FCH190N65F-F155
quantità disponibile
61520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.345296
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FCH190N65F-F155 specificazioni

codice articolo del costruttore FCH190N65F-F155
Numero di parte futuro FT-FCH190N65F-F155
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FRFET®, SuperFET® II
FCH190N65F-F155 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3225pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Long Leads
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F155 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FCH190N65F-F155-FT

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