casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56W,115
codice articolo del costruttore | BAW56W,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAW56W,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56W,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56W,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56W,115-FT |
MUR3060PT
ON Semiconductor
MUR3060PTG
ON Semiconductor
BAV70SRAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56SRAZ
Nexperia USA Inc.
BYV32G-200,127
WeEn Semiconductors
BYV42G-200,127
WeEn Semiconductors
BYQ28E-200/H,127
WeEn Semiconductors
BYV44-500,127
WeEn Semiconductors
BYV42E-150,127
WeEn Semiconductors
BYV34-400,127
WeEn Semiconductors
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel