casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV32G-200,127
codice articolo del costruttore | BYV32G-200,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV32G-200,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV32G-200,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32G-200,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV32G-200,127-FT |
SCS240AE2HRC
Rohm Semiconductor
SCS230AE2HRC
Rohm Semiconductor
SCS230AE2C
Rohm Semiconductor
SCS120AE2C
Rohm Semiconductor
SCS140AE2C
Rohm Semiconductor
SCS230KE2AHRC
Rohm Semiconductor
SCS240KE2AHRC
Rohm Semiconductor
RB496KATR
Rohm Semiconductor
RB061US-30TR
Rohm Semiconductor
RB228T100
Rohm Semiconductor
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel