casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV42E-150,127
codice articolo del costruttore | BYV42E-150,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV42E-150,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV42E-150,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 28ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV42E-150,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV42E-150,127-FT |
SCS140AE2C
Rohm Semiconductor
SCS230KE2AHRC
Rohm Semiconductor
SCS240KE2AHRC
Rohm Semiconductor
RB496KATR
Rohm Semiconductor
RB061US-30TR
Rohm Semiconductor
RB228T100
Rohm Semiconductor
RB205T-60
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RB215T-90
Rohm Semiconductor
RB215T-40
Rohm Semiconductor
RB215T-60
Rohm Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel