casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99T116
codice articolo del costruttore | BAV99T116 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99T116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99T116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSD3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99T116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99T116-FT |
RB481Y-90T2R
Rohm Semiconductor
DA227YT2R
Rohm Semiconductor
RB480YT2R
Rohm Semiconductor
RB481Y-40T2R
Rohm Semiconductor
RB481YT2R
Rohm Semiconductor
RB851YT2R
Rohm Semiconductor
RB861YT2R
Rohm Semiconductor
RB886YT2R
Rohm Semiconductor
DA221TL
Rohm Semiconductor
DAN222TL
Rohm Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel