casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB481Y-40T2R
codice articolo del costruttore | RB481Y-40T2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB481Y-40T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB481Y-40T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75-4, SOT-543 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB481Y-40T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB481Y-40T2R-FT |
80CNQ035
SMC Diode Solutions
80CNQ040
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80CNQ045S2
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81CNQ035
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81CNQ040
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81CNQ040S2
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83CNQ080
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83CNQ080S2
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XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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