casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB886YT2R
codice articolo del costruttore | RB886YT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB886YT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB886YT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 15V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 350mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 120µA @ 5V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75-4, SOT-543 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB886YT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB886YT2R-FT |
81CNQ035S2
SMC Diode Solutions
81CNQ040
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81CNQ040S2
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EX128-FTQ64
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EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel