casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV 70 B5003
codice articolo del costruttore | BAV 70 B5003 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV 70 B5003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV 70 B5003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV 70 B5003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV 70 B5003-FT |
TBAT54A,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
BAT240AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV70-TP
Micro Commercial Co
DA3X103E0L
Panasonic Electronic Components
1SS184,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21A-TP
Micro Commercial Co
BAS40-06-TP
Micro Commercial Co
BAV70
ON Semiconductor
DB3X313J0L
Panasonic Electronic Components
MMBD1405
ON Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel