casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70-TP
codice articolo del costruttore | BAV70-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 855mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70-TP-FT |
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ
WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS40H100CQ
WeEn Semiconductors
UMP1NTR
Rohm Semiconductor
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
UMN1NTR
Rohm Semiconductor
BAV70M-TP
Micro Commercial Co
BAT54CM-TP
Micro Commercial Co
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel