casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-06-TP
codice articolo del costruttore | BAS40-06-TP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS40-06-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS40-06-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-06-TP-FT |
UMP1NTR
Rohm Semiconductor
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
UMN1NTR
Rohm Semiconductor
BAV70M-TP
Micro Commercial Co
BAT54CM-TP
Micro Commercial Co
UMP11NTN
Rohm Semiconductor
UMN11NTN
Rohm Semiconductor
UMN10NTR
Rohm Semiconductor
RB530XNTR
Rohm Semiconductor
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation