casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70M-TP
codice articolo del costruttore | BAV70M-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70M-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70M-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70M-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70M-TP-FT |
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel