casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70M-TP
codice articolo del costruttore | BAV70M-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70M-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70M-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70M-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70M-TP-FT |
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel