casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / WNS40H100CQ
codice articolo del costruttore | WNS40H100CQ |
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Numero di parte futuro | FT-WNS40H100CQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
WNS40H100CQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220E |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS40H100CQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WNS40H100CQ-FT |
MBR3040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel