casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV20 A0G
codice articolo del costruttore | BAV20 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV20 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV20 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV20 A0G-FT |
HER101G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER103G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER104G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER105G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER107G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel