casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER103G R0G
codice articolo del costruttore | HER103G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER103G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER103G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER103G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER103G R0G-FT |
UF1K R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel