casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER101G R1G
codice articolo del costruttore | HER101G R1G |
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Numero di parte futuro | FT-HER101G R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER101G R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER101G R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER101G R1G-FT |
UF1K A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1K B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1K R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel