casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER101G R1G
codice articolo del costruttore | HER101G R1G |
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Numero di parte futuro | FT-HER101G R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER101G R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER101G R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER101G R1G-FT |
UF1K A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1K B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1K R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1KHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1M R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel