casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV 199 B6327
codice articolo del costruttore | BAV 199 B6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV 199 B6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV 199 B6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV 199 B6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV 199 B6327-FT |
MMBD4148CA-TP
Micro Commercial Co
TBAT54A,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
BAT240AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV70-TP
Micro Commercial Co
DA3X103E0L
Panasonic Electronic Components
1SS184,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21A-TP
Micro Commercial Co
BAS40-06-TP
Micro Commercial Co
BAV70
ON Semiconductor
DB3X313J0L
Panasonic Electronic Components
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel