casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM07-200-E3/98
codice articolo del costruttore | BYM07-200-E3/98 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM07-200-E3/98 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM07-200-E3/98 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM07-200-E3/98 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM07-200-E3/98-FT |
SS1FN6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL3-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL3HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL3HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel